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元件参数资料
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参数目录42013
> IXTR32P60P MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
型号:
IXTR32P60P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTR32P60P PDF
标准包装
30
系列
PolarP™
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
385 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
196nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
11100pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUS247?
供应商设备封装
ISOPLUS247?
包装
管件
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